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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.520222
500
¥0.382513
1000
¥0.318763
2000
¥0.292444
5000
¥0.273313
10000
¥0.254247
15000
¥0.245884
50000
¥0.241778
ROHM Semiconductor RQ5E030AJTCL
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RQ5E030AJTCL
2078-RQ5E030AJTCL
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-96
大陆
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MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TSMT3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
RQ5E030AJTCL详情
ROHM Semiconductor RQ5E030AJTCL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
20 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-96
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1W Tc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
75m Ω @ 3A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
240pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2.1nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3A
漏极-源极导通最大电阻
0.075Ohm
DS 击穿电压-最小值
30V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
RQ5E030AJTCL拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
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