RQ6E030SPTR
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ROHM Semiconductor RQ6E030SPTR

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型号

RQ6E030SPTR

utmel 编号

2078-RQ6E030SPTR

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RQ6E030SP IS THE LOW ON - RESIST

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RQ6E030SPTR ROHM Semiconductor RQ6E030SP IS THE LOW ON - RESIST

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RQ6E030SPTR详情

ROHM Semiconductor RQ6E030SPTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    3A Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4V 10V

  • Power Dissipation (Max)

    950mW Ta

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    80m Ω @ 3A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    440pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    6nC @ 5V

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: ROHM Semiconductor RQ6E030SPTR.

RQ6E030SPTR拓展信息

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