ROHM Semiconductor RQ7E110AJTCR

工厂交货时间

20 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.5W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.5V @ 10mA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2017

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-F8

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9m Ω @ 4.5A, 11V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2410pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

22nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

11A

漏极-源极导通最大电阻

0.009Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

44A

DS 击穿电压-最小值

30V

雪崩能量等级（Eas）

18 mJ

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant