ROHM Semiconductor RS1E180BNTB

工厂交货时间

10 Weeks

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2015

无铅代码

yes

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-F5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

18A

漏极-源极导通最大电阻

0.0069Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

72A

DS 击穿电压-最小值

30V

雪崩能量等级（Eas）

23.5 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅