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ROHM Semiconductor RSH065N06GZETB

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型号

RSH065N06GZETB

utmel 编号

2078-RSH065N06GZETB

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

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立即发货

ROHS

ECAD

简介

4V DRIVE NCH MOSFET. POWER MOSFE

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RSH065N06GZETB详情

ROHM Semiconductor RSH065N06GZETB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

    2.5V @ 1mA

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    6.5A Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4V 10V

  • Power Dissipation (Max)

    2W Ta

  • 已出版

    2009

  • 操作温度

    150°C

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    37m Ω @ 6.5A, 10V

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    900pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    16nC @ 5V

  • 漏源电压 (Vdss)

    60V

  • Vgs(最大值)

    20V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: ROHM Semiconductor RSH065N06GZETB.

RSH065N06GZETB拓展信息

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