RSJ301N10FRATL
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ROHM Semiconductor RSJ301N10FRATL

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型号

RSJ301N10FRATL

utmel 编号

2078-RSJ301N10FRATL

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

NCH 100V 30A POWER MOSFET

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RSJ301N10FRATL
RSJ301N10FRATL ROHM Semiconductor NCH 100V 30A POWER MOSFET

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RSJ301N10FRATL详情

ROHM Semiconductor RSJ301N10FRATL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    30A Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4V 10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    50W Ta

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101

  • 已出版

    2017

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    46m Ω @ 15A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    2100pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    60nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    100V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    30A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.05Ohm

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    60A

  • DS 击穿电压-最小值

    100V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: ROHM Semiconductor RSJ301N10FRATL.

RSJ301N10FRATL拓展信息

RU1J002YNTCL
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ROHM Semiconductor

RTR030N05TL
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ROHM Semiconductor

RZM002P02T2L
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RYC002N05T316
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ROHM Semiconductor

RSD140P06TL
RSD140P06TL

ROHM Semiconductor

RRR040P03TL
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RJP020N06T100
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ROHM Semiconductor

RSM002N06T2L
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RS1G180MNTB
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ROHM Semiconductor

RVQ040N05TR
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