注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥15.840318
10
¥14.943695
100
¥14.097829
500
¥13.299836
1000
¥12.547015
ROHM Semiconductor RSJ400N06FRATL
- 收藏
- 对比
RSJ400N06FRATL
2078-RSJ400N06FRATL
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
大陆
立即发货

10V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101 Q
--最小包装量--
¥
总价: ¥
RSJ400N06FRATL详情
ROHM Semiconductor RSJ400N06FRATL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
40A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
50W Ta
操作温度
150°C
包装
Cut Tape (CT)
系列
Automotive, AEC-Q101
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
16m Ω @ 40A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2400pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
52nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
40A
漏极-源极导通最大电阻
0.016Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
80A
DS 击穿电压-最小值
60V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
RSJ400N06FRATL拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor






哦! 它是空的。