ROHM Semiconductor RSL020P03FRATR
- 收藏
- 对比
RSL020P03FRATR
2078-RSL020P03FRATR
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-SMD, Flat Leads
大陆
立即发货

4V DRIVE PCH MOSFET (CORRESPONDS
--最小包装量--
RSL020P03FRATR详情
ROHM Semiconductor RSL020P03FRATR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-SMD, Flat Leads
表面安装
YES
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1W Ta
操作温度
150°C
包装
Cut Tape (CT)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2017
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
120m Ω @ 2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
350pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
3.9nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
-2A
阈值电压
-2.5V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2A
漏极-源极导通最大电阻
0.12Ohm
DS 击穿电压-最小值
30V
达到SVHC
Unknown
RoHS状态
ROHS3 Compliant
RSL020P03FRATR拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor







哦! 它是空的。