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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.781399
10
¥8.284342
100
¥7.815417
500
¥7.373031
1000
¥6.955687
ROHM Semiconductor RSS100N03FRATB
- 收藏
- 对比
RSS100N03FRATB
2078-RSS100N03FRATB
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
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4V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPONDS
--最小包装量--
¥
总价: ¥
RSS100N03FRATB详情
ROHM Semiconductor RSS100N03FRATB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
20 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
10A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2W Ta
操作温度
150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2017
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G8
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
13.3m Ω @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1070pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
20nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
10A
漏极-源极导通最大电阻
0.0189Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
40A
DS 击穿电压-最小值
30V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
RSS100N03FRATB拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
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