ROHM Semiconductor RTQ020N05TR

工厂交货时间

20 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

600mW Ta

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-G6

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

190m Ω @ 2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

150pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.3nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

45V

Vgs（最大值）

±12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2A

漏极-源极导通最大电阻

0.28Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

8A

DS 击穿电压-最小值

45V

RoHS状态

ROHS3 Compliant