ROHM Semiconductor RUC002N05HZGT116
- 收藏
- 对比
RUC002N05HZGT116
2078-RUC002N05HZGT116
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

1.2V DRIVE NCH MOSFET
--最小包装量--
RUC002N05HZGT116详情
ROHM Semiconductor RUC002N05HZGT116重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
200mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V 4.5V
Power Dissipation (Max)
350mW Ta
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
1V @ 1mA
操作温度
150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
Automotive, AEC-Q101
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
场效应管类型
N-Channel
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
25pF @ 10V
漏源电压 (Vdss)
50V
Vgs(最大值)
±8V
漏源电阻
1.6Ohm
达到SVHC
not_compliant
RoHS状态
ROHS3 Compliant
RUC002N05HZGT116拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor







哦! 它是空的。