ROHM Semiconductor RX3G07CGNC16

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

供应商器件包装

TO-220AB

Dissipation Factor DF

0.14

Qualification

AEC-Q200

Maximum Operating Temperature

+ 105 C

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

500

Manufacturer

Cornell Dubilier

Voltage Rating DC

25 VDC

Brand

Cornell Dubilier - CDE

RoHS

Details

Number of Elements per Chip

1

Package Type

TO-220AB

MSL

-

Continuous Drain Current Id

70A

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

40 V

Typical Turn-On Delay Time

17 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

1 V

Pd - Power Dissipation

78 W

Transistor Polarity

N-Channel

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Unit Weight

0.068784 oz

Mounting Styles

通孔

Channel Mode

Enhancement

Qg - Gate Charge

32 nC

Rds On - Drain-Source Resistance

4.7 mOhms

Typical Turn-Off Delay Time

70 ns

Id - Continuous Drain Current

70 A

Package

Tube

Base Product Number

RX3G07

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

70A (Tc)

厂商

Rohm Semiconductor

Power Dissipation (Max)

78W (Tc)

Product Status

活跃

系列

AFC

包装

MouseReel

操作温度

150°C (TJ)

容差

20 %

类型

贴片铝电解电容器

电容量

470 uF

子类别

Capacitors

技术

Si

引脚数量

3

终端样式

SMD/SMT

引线间距

4.6 mm

配置

Single

通道数量

1 Channel

泄漏电流

117.5 uA

纹波电流

670 mA

功率耗散

78W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.7mOhm @ 70A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 500µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2410 pF @ 20 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

32 nC @ 10 V

上升时间

9 ns

漏源电压 (Vdss)

40 V

Vgs（最大值）

±20V

产品类别

电解电容器

晶体管类型

1 N Channel

等效串联电阻

500 mOhms

信道型

N

场效应管特性

-

产品

低阻抗电解电容器

产品类别

Aluminum Electrolytic Capacitors - SMD

高度

12 mm

长度

10.2 mm

直径

10 mm