Rohm Semiconductor SCT2160KEGC11
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SCT2160KEGC11
2078-SCT2160KEGC11
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-247-3
大陆
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1200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE
--最小包装量--
SCT2160KEGC11详情
Rohm Semiconductor SCT2160KEGC11重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
供应商器件包装
TO-247N
厂商
Rohm Semiconductor
Package
Tube
Product Status
活跃
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
22A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Power Dissipation (Max)
165W (Tc)
Continuous Drain Current Id
22
Number of Elements per Chip
1
Package Type
TO-247N
Channel Mode
Enhancement
系列
-
操作温度
175°C (TJ)
引脚数量
3
功率耗散
165
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
208mOhm @ 7A, 18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 2.5mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1200 pF @ 800 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
62 nC @ 18 V
漏源电压 (Vdss)
1200 V
Vgs(最大值)
+22V, -6V
信道型
N
场效应管特性
-
SCT2160KEGC11拓展信息
ROHM Semiconductor
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