ROHM Semiconductor SCT2750NYTB
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SCT2750NYTB
2078-SCT2750NYTB
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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1700V .75 OHM 6A SIC FET
--最小包装量--
SCT2750NYTB详情
ROHM Semiconductor SCT2750NYTB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
19 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
表面安装
YES
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5.9A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
57W Tc
操作温度
175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2017
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
975m Ω @ 1.7A, 18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 630μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
275pF @ 800V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17nC @ 18V
漏源电压 (Vdss)
1700V
Vgs(最大值)
+22V, -6V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
5.9A
漏极-源极导通最大电阻
0.975Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
14A
DS 击穿电压-最小值
1700V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
SCT2750NYTB拓展信息
ROHM Semiconductor
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