ROHM Semiconductor SCT2H12NYTB

工厂交货时间

19 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

表面安装

YES

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

18V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

44W Tc

操作温度

175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2017

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.5 Ω @ 1.1A, 18V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 410μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

184pF @ 800V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14nC @ 18V

漏源电压 (Vdss)

1700V

Vgs（最大值）

+22V, -6V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

10A

DS 击穿电压-最小值

1700V

RoHS状态

ROHS3 Compliant