ROHM Semiconductor SCT3030KLGC11

工厂交货时间

21 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

制造商包装标识符

SCT3030KLGC11

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

72A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

18V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

339W Tc

Turn Off Delay Time

61 ns

操作温度

175°C TJ

包装

Tube

已出版

2017

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

339W

接通延迟时间

24 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

39m Ω @ 27A, 18V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.6V @ 13.3mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2222pF @ 800V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

131nC @ 18V

漏源电压 (Vdss)

1200V

Vgs（最大值）

+22V, -4V

连续放电电流(ID)

72A

阈值电压

4.15V

栅极至源极电压(Vgs)

13V

漏极-源极导通最大电阻

0.039Ohm

漏源击穿电压

1.2kV

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

180A

最大结点温度（Tj）

175°C

高度

25.5mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅