ROHM Semiconductor SCT3060ARC14
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SCT3060ARC14
2078-SCT3060ARC14
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-247-4
大陆
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650V NCH SIC TRENCH MOSFET IN 4P
--最小包装量--
SCT3060ARC14详情
ROHM Semiconductor SCT3060ARC14重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-4
表面安装
NO
晶体管元件材料
碳化硅
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
39A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
165W
操作温度
175°C TJ
包装
Tube
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSFM-T4
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
78m Ω @ 13A, 18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.6V @ 6.67mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
852pF @ 500V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
58nC @ 18V
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
+22V, -4V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
39A
漏极-源极导通最大电阻
0.078Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
97A
DS 击穿电压-最小值
650V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
SCT3060ARC14拓展信息
ROHM Semiconductor
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