SCT3060ARC14
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ROHM Semiconductor SCT3060ARC14

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型号

SCT3060ARC14

utmel 编号

2078-SCT3060ARC14

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-247-4

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

650V NCH SIC TRENCH MOSFET IN 4P

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SCT3060ARC14
SCT3060ARC14 ROHM Semiconductor 650V NCH SIC TRENCH MOSFET IN 4P

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SCT3060ARC14详情

ROHM Semiconductor SCT3060ARC14重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-247-4

  • 表面安装

    NO

  • 晶体管元件材料

    碳化硅

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    39A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    18V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    165W

  • 操作温度

    175°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    4

  • 端子位置

    SINGLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T4

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    78m Ω @ 13A, 18V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5.6V @ 6.67mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    852pF @ 500V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    58nC @ 18V

  • 漏源电压 (Vdss)

    650V

  • Vgs(最大值)

    +22V, -4V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    39A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.078Ohm

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    97A

  • DS 击穿电压-最小值

    650V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: ROHM Semiconductor SCT3060ARC14.

SCT3060ARC14拓展信息

RU1J002YNTCL
RU1J002YNTCL

ROHM Semiconductor

RTR030N05TL
RTR030N05TL

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RZM002P02T2L
RZM002P02T2L

ROHM Semiconductor

RYC002N05T316
RYC002N05T316

ROHM Semiconductor

RSD140P06TL
RSD140P06TL

ROHM Semiconductor

RRR040P03TL
RRR040P03TL

ROHM Semiconductor

RJP020N06T100
RJP020N06T100

ROHM Semiconductor

RSM002N06T2L
RSM002N06T2L

ROHM Semiconductor

RS1G180MNTB
RS1G180MNTB

ROHM Semiconductor

RVQ040N05TR
RVQ040N05TR

ROHM Semiconductor

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