ROHM Semiconductor SCT3080ALGC11

工厂交货时间

21 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

表面安装

NO

晶体管元件材料

碳化硅

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

18V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

134W Tc

操作温度

175°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

104m Ω @ 10A, 18V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.6V @ 5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

571pF @ 500V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

48nC @ 18V

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

+22V, -4V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

30A

漏极-源极导通最大电阻

0.104Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

75A

DS 击穿电压-最小值

650V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅