SCT3105KRHRC15
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ROHM Semiconductor SCT3105KRHRC15

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型号

SCT3105KRHRC15

utmel 编号

2078-SCT3105KRHRC15

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-247-4

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

1200V, 24A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

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SCT3105KRHRC15
SCT3105KRHRC15 ROHM Semiconductor 1200V, 24A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

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SCT3105KRHRC15详情

ROHM Semiconductor SCT3105KRHRC15重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-247-4

  • 供应商器件包装

    TO-247-4L

  • Base Product Number

    SCT3105

  • Channel Mode

    Enhancement

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    24A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    18V

  • Id - Continuous Drain Current

    24 A

  • Maximum Operating Temperature

    + 175 C

  • 厂商

    Rohm Semiconductor

  • Mounting Styles

    通孔

  • Package

    Tube

  • Pd - Power Dissipation

    134 W

  • Power Dissipation (Max)

    134W

  • Product Status

    活跃

  • Qg - Gate Charge

    51 nC

  • Rds On - Drain-Source Resistance

    105 mOhms

  • Transistor Polarity

    N-Channel

  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

    1.2 kV

  • Vgs - Gate-Source Voltage

    - 4 V, + 22 V

  • Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

    5.6 V

  • 操作温度

    175°C (TJ)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 通道数量

    1 Channel

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    137mOhm @ 7.6A, 18V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5.6V @ 3.81mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    574 pF @ 800 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    51 nC @ 18 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    1200 V

  • Vgs(最大值)

    +22V, -4V

  • 场效应管特性

    -

0个相似型号

SCT3105KRHRC15拓展信息

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