ROHM Semiconductor SCT3120ALGC11

工厂交货时间

30 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

21A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

18V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

103W Tc

Turn Off Delay Time

23 ns

操作温度

175°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

103W

接通延迟时间

14 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

156m Ω @ 6.7A, 18V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.6V @ 3.33mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

460pF @ 500V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

38nC @ 18V

Vgs（最大值）

+22V, -4V

连续放电电流(ID)

21A

漏源击穿电压

650V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

52A

最大结点温度（Tj）

175°C

高度

25.5mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅