ROHM Semiconductor SCT3120AW7TL

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-263-7

供应商器件包装

TO-263-7

Voltage Rating DC

28V

ElectricalLife

40,000 Cycles

Voltage Rating AC

125V

Number of Elements per Chip

1

Package Type

TO-263-7

MSL

MSL 1 - Unlimited

Continuous Drain Current Id

21A

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

650 V

Typical Turn-On Delay Time

6 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

5.6 V

Pd - Power Dissipation

100 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 4 V, + 22 V

Unit Weight

0.056438 oz

Minimum Operating Temperature

-

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1000

Mounting Styles

SMD/SMT

Forward Transconductance - Min

2.7 S

Channel Mode

Enhancement

Manufacturer

ROHM 半导体

Brand

ROHM 半导体

Qg - Gate Charge

38 nC

Rds On - Drain-Source Resistance

156 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

19 ns

Id - Continuous Drain Current

21 A

Package

Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

Base Product Number

SCT3120

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

21A (Tc)

厂商

Rohm Semiconductor

Power Dissipation (Max)

100W

Product Status

活跃

操作温度

-30°C ~ 85°C

系列

47A

包装

Bulk

零件状态

活跃

子类别

MOSFETs

技术

SiC

入口保护

--

额定电流

5A (AC/DC)

引脚数量

7

终端样式

PC引脚

执行器类型

Concave (Standard V)

电路

单刀双掷

开关功能

Mom-Off-Mom

面板开孔尺寸

--

通道数量

1 Channel

颜色 - 执行器/盖

Black

照明电压（标称）

--

照明类型，颜色

--

功率耗散

100W

机械寿命

--

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

156mOhm @ 6.7A, 18V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.6V @ 3.33mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

460 pF @ 500 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

38 nC @ 18 V

上升时间

14 ns

漏源电压 (Vdss)

650 V

Vgs（最大值）

+22V, -4V

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

执行器标记

无标记

信道型

N

场效应管特性

-

特征

环氧树脂密封端子

产品类别

MOSFET