ROHM Semiconductor SH8K26GZ0TB
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SH8K26GZ0TB
2078-SH8K26GZ0TB
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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4V DRIVE NCH NCH MOSFET. MIDDLE
--最小包装量--
SH8K26GZ0TB详情
ROHM Semiconductor SH8K26GZ0TB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6A Ta
操作温度
150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
功率 - 最大
2W Ta
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
38m Ω @ 6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
280pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2.9nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)
40V
场效应管特性
Standard
RoHS状态
ROHS3 Compliant
SH8K26GZ0TB拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semicon
ROHM Semiconductor
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