SP8J1FU6TB
SP8J1FU6TB

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

ROHM Semiconductor SP8J1FU6TB

  • 收藏
  • 对比

型号

SP8J1FU6TB

utmel 编号

2078-SP8J1FU6TB

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC

起订量

--最小包装量--

添加到询价列表
SP8J1FU6TB
SP8J1FU6TB ROHM Semiconductor MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC

请发送询价,我们将立即回复。

库存:1299

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

SP8J1FU6TB详情

ROHM Semiconductor SP8J1FU6TB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    17 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 引脚数

    8

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2006

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终端

    SMD/SMT

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最大功率耗散

    2W

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 基本部件号

    *J1

  • 场效应管类型

    2 P-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    42m Ω @ 5A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1400pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    16nC @ 5V

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • 连续放电电流(ID)

    5A

  • 阈值电压

    -2.5V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    5A

  • 双电源电压

    -30V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • 栅源电压

    -2.5 V

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

技术文档: ROHM Semiconductor SP8J1FU6TB.

SP8J1FU6TB拓展信息

EM6K1T2R
EM6K1T2R

ROHM Semiconductor

2SK3018FPDT106
2SK3018FPDT106

ROHM Semicon

VT6K1T2CR
VT6K1T2CR

ROHM Semiconductor

QS8M51TR
QS8M51TR

ROHM Semiconductor

QS5K2TR
QS5K2TR

ROHM Semiconductor

QS6M3TR
QS6M3TR

ROHM Semiconductor

QS6K1TR
QS6K1TR

ROHM Semiconductor

QS6M4TR
QS6M4TR

ROHM Semiconductor

QH8MA4TCR
QH8MA4TCR

ROHM Semiconductor

EM6K34T2CR
EM6K34T2CR

ROHM Semiconductor

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z