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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥22.508605
10
¥21.234533
100
¥20.032575
500
¥18.898656
1000
¥17.828922
ROHM Semiconductor SP8J5FRATB
- 收藏
- 对比
SP8J5FRATB
2078-SP8J5FRATB
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
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4V DRIVE PCH PCH MOSFET (CORRESP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SP8J5FRATB详情
ROHM Semiconductor SP8J5FRATB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7A Ta
Number of Elements
2
操作温度
150°C
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G8
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
28m Ω @ 7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7A
漏极-源极导通最大电阻
0.028Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
28A
DS 击穿电压-最小值
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate, 4V Drive
RoHS状态
符合RoHS标准
SP8J5FRATB拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semicon
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor






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