ROHM Semiconductor SP8K22FU6TB

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

2W

基本部件号

*K22

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

2W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

46m Ω @ 4.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

550pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9.6nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

45V

连续放电电流(ID)

4.5A

阈值电压

2.5V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant