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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥11.718762
10
¥11.055439
100
¥10.429659
500
¥9.839301
1000
¥9.282357
ROHM Semiconductor SP8K52FRATB
- 收藏
- 对比
SP8K52FRATB
2078-SP8K52FRATB
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
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4V DRIVE NCH NCH MOSFET
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SP8K52FRATB详情
ROHM Semiconductor SP8K52FRATB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
20 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3A Ta
Number of Elements
2
操作温度
150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2016
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G8
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率 - 最大
2W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
170m Ω @ 3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
610pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
8.5nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)
100V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3A
漏极-源极导通最大电阻
0.19Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
12A
DS 击穿电压-最小值
100V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
RoHS状态
ROHS3 Compliant
SP8K52FRATB拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semicon
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor






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