ROHM Semiconductor SP8K5TB
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SP8K5TB
2078-SP8K5TB
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
--最小包装量--
SP8K5TB详情
ROHM Semiconductor SP8K5TB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2004
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Copper (Sn/Cu)
电压 - 额定直流
30V
最大功率耗散
2W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
3.5A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
*K5
引脚数量
8
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
83m Ω @ 3.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
140pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
3.5nC @ 5V
上升时间
6ns
连续放电电流(ID)
3.5A
漏极-源极导通最大电阻
0.15Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
14A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SP8K5TB拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semicon
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor
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