ROHM Semiconductor SP8M2FU6TB
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SP8M2FU6TB
2078-SP8M2FU6TB
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOIC
1最小包装量--
SP8M2FU6TB详情
ROHM Semiconductor SP8M2FU6TB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-SOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.5A
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
SMD/SMT
最高工作温度
150°C
最大功率耗散
2W
基本部件号
*M2
功率 - 最大
2W
场效应管类型
N and P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
83mOhm @ 3.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
140pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
3.5nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)
30V
连续放电电流(ID)
3.5A
阈值电压
2.5V
双电源电压
30V
输入电容
140pF
场效应管特性
Standard
最大rds
83 mΩ
栅源电压
2.5 V
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
SP8M2FU6TB拓展信息
ROHM Semiconductor
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