ROHM Semiconductor SP8M3TB

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5A 4.5A

Number of Elements

2

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2004

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铜

最大功率耗散

2W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

5A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

*M3

引脚数量

8

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

51m Ω @ 5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

230pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.9nC @ 5V

上升时间

25ns

漏源电压 (Vdss)

30V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

4.5A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

DS 击穿电压-最小值

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅