ROHM Semiconductor SP8M5FU6TB

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A 7A

Turn Off Delay Time

110 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

2W

基本部件号

*M5

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

场效应管类型

N and P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

28m Ω @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

520pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10.1nC @ 5V

上升时间

50ns

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

70 ns

连续放电电流(ID)

7A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7A

漏源击穿电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant