ROHM Semiconductor SP8M7TB
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SP8M7TB
2078-SP8M7TB
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOIC
1最小包装量--
SP8M7TB详情
ROHM Semiconductor SP8M7TB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5A 7A
Number of Elements
2
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2004
JESD-609代码
e2
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铜
最大功率耗散
2W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
5A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
*M7
引脚数量
8
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N and P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
51m Ω @ 5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
230pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
5.5nC @ 5V
上升时间
50ns
漏源电压 (Vdss)
30V
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
连续放电电流(ID)
7A
最大漏极电流 (Abs) (ID)
5A
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
20A
DS 击穿电压-最小值
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SP8M7TB拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semicon
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
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