UT6JB5TCR
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ROHM Semiconductor UT6JB5TCR

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型号

UT6JB5TCR

utmel 编号

2078-UT6JB5TCR

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

DFN2020-8D

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Dual P-Channel MOSFET, 3.5 A, 40 V, 8-Pin DFN2020

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UT6JB5TCR
UT6JB5TCR ROHM Semiconductor Dual P-Channel MOSFET, 3.5 A, 40 V, 8-Pin DFN2020

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UT6JB5TCR详情

ROHM Semiconductor UT6JB5TCR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    DFN2020-8D

  • 供应商器件包装

    HUML2020L8

  • 1st Contact Gender

    Female

  • Package

    Bag

  • Overall Impedance

    50 Ohms

  • Base Product Number

    Q-0305E0

  • 厂商

    Amphenol Custom Cable

  • Product Status

    活跃

  • 2nd Contact Gender

    Female

  • Frequency-Max

    3 GHz

  • Cable Types

    RG-316

  • Number of Elements per Chip

    2

  • Package Type

    DFN2020

  • Qualification

    -

  • Transistor Polarity

    P Channel

  • Continuous Drain Current Id

    3.5A

  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

    40 V

  • Typical Turn-On Delay Time

    7.4 ns

  • Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

    1 V

  • Pd - Power Dissipation

    2 W

  • Maximum Operating Temperature

    + 150 C

  • Vgs - Gate-Source Voltage

    - 10 V, + 10 V

  • Minimum Operating Temperature

    - 55 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    3000

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • Channel Mode

    Enhancement

  • Manufacturer

    ROHM 半导体

  • Brand

    ROHM 半导体

  • Qg - Gate Charge

    6.2 nC

  • Rds On - Drain-Source Resistance

    122 mOhms

  • RoHS

    Details

  • Typical Turn-Off Delay Time

    42 ns

  • Id - Continuous Drain Current

    3.5 A

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    3.5A (Ta)

  • 操作温度

    -

  • 系列

    -

  • 包装

    MouseReel

  • 颜色

    Copper

  • 子类别

    MOSFETs

  • 技术

    Si

  • 入口保护

    -

  • 样式

    BNC to Fakra

  • 引脚数量

    8

  • 配置

    Dual

  • 通道数量

    2 Channel

  • 功率 - 最大

    2W (Ta)

  • 场效应管类型

    2 P-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    122mOhm @ 3.5A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    265pF @ 20V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    6.2nC @ 10V

  • 上升时间

    8.5 ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    40V

  • 产品类别

    MOSFET

  • 晶体管类型

    2 P - Channel

  • 第一个连接器

    BNC Jack

  • 第二个连接器

    Fakra Jack

  • 信道型

    P

  • 场效应管特性

    Standard

  • 特征

    Shielded

  • 产品类别

    MOSFET

  • 长度

    36.00 (914.40mm)

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