STMicroelectronics 2N2222

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Current-Collector (Ic) (Max)

600mA

Number of Elements

1

hFEMin

35

操作温度

175°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

类型

Switch

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

低漏电流

电压 - 额定直流

30V

最大功率耗散

500mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

额定电流

800mA

频率

250MHz

基本部件号

2N22

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

500mW

增益带宽积

250MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

800mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA 10V

最大集极截止电流

10nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.6V @ 50mA, 500mA

转换频率

300MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

VCEsat-最大值

1 V

关断时间-最大值（toff)

285ns

集电极-基极电容-最大值

8pF

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅