STMicroelectronics 2N2907

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Number of Elements

1

hFEMin

75

操作温度

200°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-60V

最大功率耗散

1.8W

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

额定电流

-600mA

频率

200MHz

基本部件号

2N29

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

400mW

功率 - 最大

1.8W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

200MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

600mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA 10V

最大集极截止电流

20nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.6V @ 50mA, 500mA

转换频率

200MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

接通时间-最大值(ton)

50ns

高度

5.3mm

长度

5.8mm

宽度

5.8mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅