2N3250
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STMicroelectronics 2N3250

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型号

2N3250

utmel 编号

2381-2N3250

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

Not available to order TO-18 PNP GEN PUR SS HISTX 610-2N3250

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2N3250 STMicroelectronics Not available to order TO-18 PNP GEN PUR SS HISTX 610-2N3250

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2N3250详情

STMicroelectronics 2N3250重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Manufacturer Part Number

    2N3250

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

  • Risk Rank

    1.16

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    200 °C

  • Operating Temperature-Min

    -65 °C

  • Package Body Material

    METAL

  • Package Shape

    ROUND

  • Package Style

    CYLINDRICAL

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    250 MHz

  • Turn-off Time-Max (toff)

    225 ns

  • Turn-on Time-Max (ton)

    70 ns

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • HTS代码

    8541.21.00.75

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    WIRE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    O-MBCY-W3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    PNP

  • JEDEC-95代码

    TO-18

  • 最大耗散功率(Abs)

    1.2 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.2 A

  • 最小直流增益(hFE)

    15

  • 集电极-发射器电压-最大值

    40 V

  • VCEsat-最大值

    0.5 V

  • 集电极-基极电容-最大值

    6 pF

  • 环境耗散-最大值

    0.36 W

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技术文档: STMicroelectronics 2N3250.

2N3250拓展信息

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