STMicroelectronics 2N3439

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

350V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Number of Elements

1

hFEMin

30

操作温度

200°C TJ

包装

Tray

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

450V

最大功率耗散

10W

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

额定电流

1A

频率

15MHz

基本部件号

2N34

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

10W

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

15MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

350V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 20mA 10V

最大集极截止电流

20μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 4mA, 50mA

转换频率

15MHz

集电极基极电压(VCBO)

300V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

VCEsat-最大值

0.5 V

高度

6.6mm

长度

9.4mm

宽度

9.4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅