STMicroelectronics 2N4033

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-500mV

Number of Elements

1

hFEMin

100

操作温度

175°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-80V

最大功率耗散

800mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

额定电流

-1A

频率

500MHz

基本部件号

2N40

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

800mW

增益带宽积

500MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 100mA 5V

最大集极截止电流

50nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

转换频率

150MHz

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

关断时间-最大值（toff)

400ns

高度

6.6mm

长度

9.4mm

宽度

9.4mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅