STMicroelectronics 2N5191

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Number of Elements

1

hFEMin

25

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

60V

最大功率耗散

40W

额定电流

4A

频率

2MHz

基本部件号

2N51

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

40W

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

25 @ 1.5A 2V

最大集极截止电流

1mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.4V @ 1A, 4A

转换频率

2MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

6.35mm

长度

25.4mm

宽度

6.35mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅