STMicroelectronics 2N5657

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

350V

Number of Elements

1

hFEMin

30

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

375V

最大功率耗散

20W

额定电流

500mA

基本部件号

2N56

引脚数量

3

元素配置

Single

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

10MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

350V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 100mA 10V

最大集极截止电流

100μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

10V @ 100mA, 500mA

转换频率

10MHz

集电极基极电压(VCBO)

375V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

VCEsat-最大值

10 V

集电极-基极电容-最大值

25pF

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅