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'2n5681'

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category.单相BJT晶体管 (7)

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对比	图片	产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	Rohs	工厂交货时间	生命周期状态	触点镀层	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	终端数量	晶体管元件材料								Collector-Emitter Saturation Voltage								Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)										厂商																												操作温度	包装	已出版	系列	尺寸/尺寸	容差	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	终止次数	ECCN 代码	温度系数	电阻	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	组成	功率(瓦特)	HTS代码	电容量	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	结构	Reach合规守则	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	终端样式	JESD-30代码	资历状况	失败率	极性	配置	电压	元素配置	功率耗散	输出功率	功率 - 最大	晶体管应用	极性/通道类型	产品类别	晶体管类型	集电极发射器电压(VCEO)	最大集电极电流	等效串联电阻	最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce	最大集极截止电流	JEDEC-95代码	不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）	电压 - 集射极击穿（最大值）	转换频率	频率转换	集电极基极电压(VCBO)	最大耗散功率(Abs)	发射极基极电压 (VEBO)	集电极电流-最大值(IC)	最小直流增益（hFE）	连续集电极电流	集电极-发射器电压-最大值	特征	产品类别	产品长度(mm)	座位高度(最大)	产品高度(mm)	达到SVHC	RoHS状态	评级结果
		2N5681	Solid State Manufacturing	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		1206 (3216 Metric)	1206	KOA Speer Electronics, Inc.				Tape & Reel (TR)	SG73P2		活跃								-55°C ~ 155°C			SG73P-RT	0.126 L x 0.063 W (3.20mm x 1.60mm)	±1%				2		±200ppm/°C	562 kOhms				厚膜	0.333W, 1/3W															-																													Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding			0.028 (0.70mm)				AEC-Q200
		2N5681	STMicroelectronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		NO	3	SILICON	30 MHz			100 V	1 W	40	Non-Compliant	CYLINDRICAL	METAL	未说明		200 °C	无	30 MHz	2N5681	ROUND	Microsemi Corporation	1	活跃	MICROSEMI CORP	5.13														e0	无			EAR99			锡铅	150 °C	-65 °C			8541.29.00.95		其他晶体管		BOTTOM	WIRE	未说明		unknown				O-MBCY-W3	不合格		NPN	SINGLE		Single	1 W			SWITCHING	NPN			100 V	1 A				TO-5					100 V	10 W	4 V	1 A	5		100 V
		2N5681	Multicomp	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		不需要	3		无	100 V	1 W	Compliant											5.08(mm)	Not Required(mm)	-25C to 70C		14.5(mm)	通孔	1.2(mm)	-20% to 80%															200 °C					220000000000(pF)						Cylindrical				Radial			不需要	NPN		5.5VDC		1 W							100 V		120(ohm)						30 MHz											Not Required(mm)		15(mm)	无SVHC
		2N5681	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		通孔	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	TO-39	微芯片技术			Bulk	1 A	2N5681	活跃	1	Microchip	微芯片技术		N								-65°C ~ 200°C	Bulk		-																	Transistors	Si																		1 W			BJTs - Bipolar Transistors	NPN				40 @ 250mA, 2V	10µA		1V @ 50mA, 500mA	100 V		-									Bipolar Transistors - BJT
		2N5681	Microsemi Corporation	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		12 Weeks	IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)	Lead, Tin	通孔					1W	1								Bulk	2007				e0	no	活跃	3	EAR99			锡铅	200°C	-65°C			8541.29.00.95				BOTTOM	WIRE	未说明				未说明		O-MBCY-W3	不合格			SINGLE						SWITCHING	NPN			100V	1A				TO-5			30MHz		100V				5									Non-RoHS Compliant
		2N5681 TIN/LEAD	Central Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		TO-39-3	600 mV	4 V	1 W	30 MHz	- 65 C	+ 200 C	40 at 250 mA, 2 V	150 at 250 mA, 2 V	500												N		通孔	NPN	100 V		Bulk		2N5681																															Single																				100 V					1 A
		2N5681 PBFREE	Central	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		1206 (3216 Metric)	3	1206	2 V	无	5@1A@2V/40@250MA@2V		通孔	4 V	1 W	+ 200 C	40 at 250 mA, 2 V	0.035486 oz	- 65 C	500	通孔	Vishay Dale	30 MHz	Central Semiconductor	Central Semiconductor	1 A	150 at 250 mA, 2 V	Details	100 V									Tape & Reel (TR)	TNPW1206	活跃	4(V)	Military	TO-39	NPN	100(V)	双极电源	-65C to 200C	1(A)	1	-55°C ~ 125°C	Box		TNPW	0.126 L x 0.063 W (3.20mm x 1.60mm)	±0.1%				2		±25ppm/°C	274 Ohms				Thin Film	0.25W, 1/4W			Transistors	Si						30(MHz)					-		Single			1(W)	Not Required(W)				BJTs - Bipolar Transistors												100 V					1 A		-	Bipolar Transistors - BJT		0.026 (0.65mm)