STMicroelectronics 2N5681

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100 V

hFEMin

40

RoHS

Non-Compliant

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

30 MHz

Manufacturer Part Number

2N5681

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.13

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

1 W

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SINGLE

元素配置

Single

功率耗散

1 W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

30 MHz

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

100 V

最大集电极电流

1 A

JEDEC-95代码

TO-5

集电极基极电压(VCBO)

100 V

最大耗散功率(Abs)

10 W

发射极基极电压 (VEBO)

4 V

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

5

集电极-发射器电压-最大值

100 V