STMicroelectronics 2N6036

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2V

Number of Elements

1

hFEMin

100

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

-80V

最大功率耗散

40W

额定电流

-4A

基本部件号

2N60

引脚数量

3

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

40W

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

PNP - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

750 @ 2A 3V

最大集极截止电流

100μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 40mA, 4A

转换频率

25MHz

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

VCEsat-最大值

3 V

集电极-基极电容-最大值

200pF

高度

11.05mm

长度

7.8mm

宽度

2.9mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅