STMicroelectronics 2STC5200

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

230V

Collector-Emitter Saturation Voltage

3V

Number of Elements

1

hFEMin

80

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

150W

频率

30MHz

基本部件号

2STC

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

150W

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

30MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

230V

最大集电极电流

15A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 1A 5V

最大集极截止电流

5μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 800mA, 8A

转换频率

30MHz

集电极基极电压(VCBO)

230V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

26.4mm

长度

20.2mm

宽度

5.2mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅