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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.661189
10
¥2.510558
100
¥2.368452
500
¥2.234385
1000
¥2.107909
STMicroelectronics 2STF2280
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- 对比
2STF2280
2381-2STF2280
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-243AA
大陆
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Trans GP BJT PNP 80V 2A 4-Pin(3 Tab) SOT-89 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2STF2280详情
STMicroelectronics 2STF2280重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-243AA
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80V
Number of Elements
1
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
1.4W
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
50MHz
基本部件号
2STF22
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-F4
元素配置
Single
功率耗散
1.4W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
80V
最大集电极电流
2A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
140 @ 100mA 2V
最大集极截止电流
1mA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 100mA, 1A
转换频率
50MHz
最大击穿电压
80V
集电极基极电压(VCBO)
80V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
2STF2280拓展信息















哦! 它是空的。