注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.513149
10
¥1.427499
100
¥1.346697
500
¥1.27047
1000
¥1.198555
STMicroelectronics 2STN1550
- 收藏
- 对比
2STN1550
2381-2STN1550
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-261-4, TO-261AA
大陆
立即发货

Bipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2STN1550详情
STMicroelectronics 2STN1550重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
1.6W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
2STN
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-G4
元素配置
Single
功率耗散
1.6W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
135 @ 2A 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
450mV @ 300mA, 3A
最大击穿电压
50V
集电极基极电压(VCBO)
50V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2STN1550拓展信息














哦! 它是空的。