STMicroelectronics 2STN2540
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2STN2540
2381-2STN2540
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-261-4, TO-261AA
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Bipolar (Bjt) Single Transistor, Pnp, -40 V, 1.6 W, -5 A, 250 Rohs Compliant: Yes
--最小包装量--
2STN2540详情
STMicroelectronics 2STN2540重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
-40V
Collector-Emitter Saturation Voltage
450mV
Number of Elements
1
hFEMin
50
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
最大功率耗散
1.6W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
2STN
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-G4
元素配置
Single
功率耗散
1.6W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
40V
最大集电极电流
5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
150 @ 2A 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
450mV @ 500mA, 5A
最大击穿电压
40V
集电极基极电压(VCBO)
40V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
高度
1.8mm
长度
6.3mm
宽度
3.3mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2STN2540拓展信息















哦! 它是空的。