STMicroelectronics 3STR1630

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Power Dissipation (Max)

500mW

Number of Elements

1

hFEMin

260

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

基本部件号

3STR16

元素配置

Single

功率耗散

500mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

6A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

180 @ 500mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 500mA, 5A

最大击穿电压

30V

频率转换

100MHz

发射极基极电压 (VEBO)

5V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅