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首页 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 A2C50S65M2-F
A2C50S65M2-F
A2C50S65M2-F

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STMicroelectronics A2C50S65M2-F

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型号

A2C50S65M2-F

品牌

STMicroelectronics

utmel 编号

2381-A2C50S65M2-F

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

Module

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK2

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A2C50S65M2-F STMicroelectronics IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK2

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A2C50S65M2-F详情

技术参数

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STMicroelectronics A2C50S65M2-F重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    Module

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    50A

  • 操作温度

    -40°C~150°C TJ

  • 零件状态

    活跃

  • Reach合规守则

    compliant

  • 配置

    三相逆变器

  • 功率 - 最大

    208W

  • 输入

    Standard

  • 最大集极截止电流

    100μA

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    650V

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

    2.3V @ 15V, 50A

  • IGBT类型

    沟渠现场停车

  • NTC热敏电阻

    有

  • 输入电容(Cies)@Vce

    4.15nF @ 25V

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技术文档: STMicroelectronics A2C50S65M2-F.

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