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STMicroelectronics BC859B

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型号

BC859B

utmel 编号

2381-BC859B

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

100mA, 30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIATURE, PLASTIC PACKAGE-3

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BC859B STMicroelectronics 100mA, 30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIATURE, PLASTIC PACKAGE-3

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BC859B详情

STMicroelectronics BC859B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    STMICROELECTRONICS

  • Package Description

    MINIATURE, PLASTIC PACKAGE-3

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    150 MHz

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 附加功能

    低噪音

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 配置

    SINGLE

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    PNP

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.3 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.1 A

  • 最小直流增益(hFE)

    200

  • 集电极-发射器电压-最大值

    30 V

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技术文档: STMicroelectronics BC859B.

BC859B拓展信息

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