STMicroelectronics BD135-16

生命周期状态

NRND (Last Updated: 7 months ago)

工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Number of Elements

1

hFEMin

100

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

1.25W

基本部件号

BD135

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

1.25W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

45V

最大集电极电流

1.5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 150mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

转换频率

250MHz

集电极基极电压(VCBO)

45V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

10.8mm

长度

7.8mm

宽度

2.7mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant